HM50P02K - описание и поиск аналогов

 

HM50P02K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM50P02K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HM50P02K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM50P02K даташит

 ..1. Size:1178K  cn hmsemi
 hm50p02k.pdf pdf_icon

HM50P02K

HM50P02K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The HM50P02K uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -50A RDS(ON)

 8.1. Size:1039K  cn hmsemi
 hm50p03k.pdf pdf_icon

HM50P02K

HM50P03K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION The HM50P03K uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -50A D S RDS(ON)

 8.2. Size:1243K  cn hmsemi
 hm50p03.pdf pdf_icon

HM50P02K

HM50P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION The HM50P03 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -50A D S RDS(ON)

 8.3. Size:648K  cn hmsemi
 hm50p06k.pdf pdf_icon

HM50P02K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDS =-60V,ID =-50A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM50N06KA, HM50N08, HM50N08K, HM50N10K, HM50N15, HM50N15D, HM50N20, HM50N20D, SPP20N60C3, HM50P03, HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, HM530, HM55N03D, HM5853

 

 

 

 

↑ Back to Top
.