HM5N06PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5N06PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HM5N06PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N06PR даташит

 ..1. Size:669K  cn hmsemi
 hm5n06pr.pdf pdf_icon

HM5N06PR

HM5N06PR NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A S RDS(ON)

 8.1. Size:492K  cn hmsemi
 hm5n06ar.pdf pdf_icon

HM5N06PR

HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A S RDS(ON)

 8.2. Size:355K  cn hmsemi
 hm5n06r.pdf pdf_icon

HM5N06PR

Другие IGBT... HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, HM530, HM55N03D, HM5853, HM5N06AR, IRF530, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR, HM5N30R, HM5N50I, HM5N50K