HM5N20I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5N20I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HM5N20I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N20I даташит

 ..1. Size:440K  cn hmsemi
 hm5n20i.pdf pdf_icon

HM5N20I

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 200V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:1153K  cn hmsemi
 hm5n20r.pdf pdf_icon

HM5N20I

Другие IGBT... HM50P06, HM50P06K, HM530, HM55N03D, HM5853, HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, NCEP15T14, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR, HM5N30R, HM5N50I, HM5N50K, HM5N60, HM5N60F