Справочник MOSFET. HM5N20I

 

HM5N20I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N20I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HM5N20I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N20I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  cn hmsemi
 hm5n20i.pdf pdf_icon

HM5N20I

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 200V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:1153K  cn hmsemi
 hm5n20r.pdf pdf_icon

HM5N20I

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID = A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM50P06 , HM50P06K , HM530 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , IRFP450 , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , HM5N50I , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.