Справочник MOSFET. HM5N50I

 

HM5N50I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N50I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HM5N50I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N50I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
 hm5n50k hm5n50i.pdf pdf_icon

HM5N50I

HM5N50K/HM5N50IHM5N50K/HM5N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 500V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching

Другие MOSFET... HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , P60NF06 , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I .

History: IRF7404PBF | CS5N50

 

 
Back to Top

 


 
.