HM5N50I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5N50I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HM5N50I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N50I даташит

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
 hm5n50k hm5n50i.pdf pdf_icon

HM5N50I

Другие IGBT... HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR, HM5N30R, AO4407, HM5N50K, HM5N60, HM5N60F, HM5N60I, HM5N60K, HM5N65, HM5N65F, HM5N65I