HM5N50I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM5N50I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HM5N50I
HM5N50I Datasheet (PDF)
hm5n50k hm5n50i.pdf
HM5N50K/HM5N50IHM5N50K/HM5N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 500V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching
Другие MOSFET... HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , AO4407 , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I .
History: DMP4047LFDE | BUK6212-40C | NCE8205t
History: DMP4047LFDE | BUK6212-40C | NCE8205t
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73


