Справочник MOSFET. HM5N50I

 

HM5N50I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM5N50I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HM5N50I

 

 

HM5N50I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
 hm5n50k hm5n50i.pdf

HM5N50I HM5N50I

HM5N50K/HM5N50IHM5N50K/HM5N50I500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 4.5A, 500V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top