HM5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HM5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N60 даташит

 ..1. Size:1319K  cn hmsemi
 hm5n60.pdf pdf_icon

HM5N60

N R N-CHANNEL MOSFET HM5N60 Package MAIN CHARACTERISTICS .0 A ID 5 600 V VDSS Rdson 2.4 @Vgs=10V 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 ..2. Size:383K  cn hmsemi
 hm5n60 hm5n60f.pdf pdf_icon

HM5N60

HM5N60 / HM5N60F HM5N60 / HM5N60F 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC) This advanced technology has been especially tailored to High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching

 0.1. Size:675K  cn hmsemi
 hm5n60k hm5n60i.pdf pdf_icon

HM5N60

HM5N60K / HM5N60I HM5N60K / HM5N60I 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.50 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 16nC) This advanced technology has been especially tailored to High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switchin

 9.1. Size:443K  cn hmsemi
 hm5n65 hm5n65f.pdf pdf_icon

HM5N60

/ / 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 4.5A, 650V, RDS(on) = 3.0 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 15nC) This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggedness minimize o n-state r esistance, pr ovide superior switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR, HM5N30R, HM5N50I, HM5N50K, 4N60, HM5N60F, HM5N60I, HM5N60K, HM5N65, HM5N65F, HM5N65I, HM5N65K, HM5N90