HM6005A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM6005A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HM6005A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6005A даташит

 ..1. Size:1209K  cn hmsemi
 hm6005a.pdf pdf_icon

HM6005A

HM6005A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6005A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=60V,ID=5A Schematic diagram RDS(ON)

Другие IGBT... HM5N60I, HM5N60K, HM5N65, HM5N65F, HM5N65I, HM5N65K, HM5N90, HM5P55R, 20N50, HM603AK, HM603BK, HM603K, HM607K, HM609BK, HM609K, HM60N02, HM60N02K