HM6005A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM6005A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для HM6005A
HM6005A Datasheet (PDF)
hm6005a.pdf

HM6005AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6005A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=60V,ID=5A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I , HM5N65K , HM5N90 , HM5P55R , IRF530 , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , HM609BK , HM609K , HM60N02 , HM60N02K .
History: PJU2NA60 | PSMN1R3-30YL | RJK0332DPB | GSM3456S | RJK0348DSP | SI7911DN
History: PJU2NA60 | PSMN1R3-30YL | RJK0332DPB | GSM3456S | RJK0348DSP | SI7911DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent