HM60N02K datasheet, аналоги, параметры транзистора

HM60N02K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM60N02K 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для HM60N02K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

HM60N02K даташит

..1. Size:492K cn hmsemi
hm60n02k.pdf pdf_icon

HM60N02K Description The HM60N02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =60A RDS(ON)

7.1. Size:575K cn hmsemi
hm60n02.pdf pdf_icon

HM60N02 Description The HM60N02 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =60A RDS(ON)

8.1. Size:892K cn hmsemi
hm60n08.pdf pdf_icon

HM60N08 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM60N08 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =80V,ID =60A RDS(ON)

8.2. Size:622K cn hmsemi
hm60n06k.pdf pdf_icon

HM60N06K Description The HM60N06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =60A RDS(ON)