HM60N03K datasheet, аналоги, параметры транзистора

HM60N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM60N03K 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для HM60N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

HM60N03K даташит

..1. Size:729K cn hmsemi
hm60n03k.pdf pdf_icon

HM60N03K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM60N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =60A RDS(ON)

7.1. Size:564K cn hmsemi
hm60n03d.pdf pdf_icon

HM60N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM60N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =60A RDS(ON)

7.2. Size:677K cn hmsemi
hm60n03.pdf pdf_icon

HM60N03 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM60N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =60A RDS(ON)

8.1. Size:892K cn hmsemi
hm60n08.pdf pdf_icon

HM60N08 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM60N08 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =80V,ID =60A RDS(ON)