HM6602 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HM6602 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HM6602
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HM6602 даташит
hm6602.pdf
HM6602 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The HM6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. G1 G2 S1 S2 General Features N-channel P-channel N-Channel VDS = 30V,ID = 3.6A Schematic diagram RDS(ON)
chm6601jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power
chm6601pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601PAGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. ( TO-252 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * Rugged a
chm6607jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6607JGP SURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High
Другие IGBT... HM60N20D, HM60N75K, HM610AK, HM640, HM6400, HM6401, HM6408, HM6409, 2SK2842, HM6604, HM6620, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: NCE0208KA | SI4487DY | JMSL0615AGDQ | IRFZ34S | P5515BD | PA5S6JA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706





