HM6602 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM6602
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
HM6602 Datasheet (PDF)
hm6602.pdf
HM6602N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2The HM6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.G1 G2S1 S2General Features N-channel P-channel N-Channel VDS = 30V,ID = 3.6A Schematic diagram RDS(ON)
chm6601jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6601JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm6601pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6601PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Rugged a
chm6607jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6607JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High
hm6604.pdf
HM6604N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6604 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channelVDS = 20V,ID =3A RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918