Справочник MOSFET. HM6N10

 

HM6N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM6N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для HM6N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  cn hmsemi
 hm6n10.pdf pdf_icon

HM6N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON)

 0.1. Size:586K  cn hmsemi
 hm6n10r.pdf pdf_icon

HM6N10

HM6N10RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

 0.2. Size:814K  cn hmsemi
 hm6n10pr.pdf pdf_icon

HM6N10

HM6N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM6602 , HM6604 , HM6620 , HM6800 , HM6801 , HM6803 , HM6804 , HM6804D , IRF540N , HM6N10PR , HM6N10R , HM6N70 , HM6N70F , HM6N70I , HM6N70K , HM6N80K , HM6N90 .

History: AON6224A | BSZ088N03MSG | ZXMN6A07FTA | TMT2N60ZG | NCEAP028N85D | IRF530NSPBF | 2N7002KD

 

 
Back to Top

 


 
.