HM7N80F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM7N80F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HM7N80F Datasheet (PDF)
hm7n80 hm7n80f.pdf
HM7N80 / HM7N80F HM7N80 / HM7N80F 800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 7.0A, 800V, RDS(on) = 1.90 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 27nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switchin
hm7n80d.pdf
HM7N80D General Description VDSS 800 V , the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 185 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
