HM840F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM840F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для HM840F
HM840F Datasheet (PDF)
hm840 hm840f.pdf

840 / 840F 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche
chm8401jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8401JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R
Другие MOSFET... HM80N80B , HM8205 , HM8205A , HM8205D , HM8205Q , HM830 , HM830F , HM840 , 60N06 , HM85N02 , HM85N02K , HM85N80 , HM85N90 , HM85N95D , HM85P02 , HM85P02D , HM85P02K .
History: FDC796NF077 | FDD107AN06LA0 | TPY70R1K5MB | NP82N03PUG
History: FDC796NF077 | FDD107AN06LA0 | TPY70R1K5MB | NP82N03PUG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent