HM840F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM840F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HM840F Datasheet (PDF)
hm840 hm840f.pdf
840 / 840F 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche
chm8401jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8401JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FCPF190N65S3R0L
