HM8N25K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM8N25K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM8N25K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM8N25K даташит

 ..1. Size:418K  cn hmsemi
 hm8n25k.pdf pdf_icon

HM8N25K

HM8N25K General Description VDSS 250 V HM8N25K, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 8 A PD(TC=25 ) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 0.36 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

 9.1. Size:908K  cn hmsemi
 hm8n20ka.pdf pdf_icon

HM8N25K

HM8N20KA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 9.2. Size:626K  cn hmsemi
 hm8n20a.pdf pdf_icon

HM8N25K

HM8N20A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 9.3. Size:559K  cn hmsemi
 hm8n20i.pdf pdf_icon

HM8N25K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM85P02K, HM8810A, HM8810S, HM8N20, HM8N20A, HM8N20I, HM8N20K, HM8N20KA, AOD4184A, HM8P02MR, HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926