HM90N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HM90N06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00754 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для HM90N06D
HM90N06D Datasheet (PDF)
hm90n06d.pdf

HM90N06DN-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe HM90N06D is N-channel MOS Field Effect Transistordesigned for high current switching applications. RuggedEAS capability and ultra low R is suitable for PWM,DS(ON)load switching especially for E-Bike controller applications.Top ViewFeatures V =65V; I =88A@ V =10V;DS D GSR
hm90n04d.pdf

HM90N04DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM90N04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =90A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM8N20 , HM8N20A , HM8N20I , HM8N20K , HM8N20KA , HM8N25K , HM8P02MR , HM90N04D , IRF740 , HM9435 , HM9435A , HM9435B , HM9436 , HM9926 , HM9926B , HM9N90F , HMS100N85D .
History: BL25N60-W | P261ALV | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R
History: BL25N60-W | P261ALV | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679