HM90N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM90N06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00754 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для HM90N06D
HM90N06D Datasheet (PDF)
hm90n06d.pdf

HM90N06DN-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe HM90N06D is N-channel MOS Field Effect Transistordesigned for high current switching applications. RuggedEAS capability and ultra low R is suitable for PWM,DS(ON)load switching especially for E-Bike controller applications.Top ViewFeatures V =65V; I =88A@ V =10V;DS D GSR
hm90n04d.pdf

HM90N04DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM90N04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =90A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM8N20 , HM8N20A , HM8N20I , HM8N20K , HM8N20KA , HM8N25K , HM8P02MR , HM90N04D , IRF740 , HM9435 , HM9435A , HM9435B , HM9436 , HM9926 , HM9926B , HM9N90F , HMS100N85D .
History: NP36P04KDG | SM1F03NSU | HM9435 | DMP2004K | SPB100N06S2L-05
History: NP36P04KDG | SM1F03NSU | HM9435 | DMP2004K | SPB100N06S2L-05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679