HM90N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM90N06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00754 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM90N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM90N06D даташит

 ..1. Size:628K  cn hmsemi
 hm90n06d.pdf pdf_icon

HM90N06D

HM90N06D N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM90N06D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, DS(ON) load switching especially for E-Bike controller applications. Top View Features V =65V; I =88A@ V =10V; DS D GS R

 8.1. Size:433K  cn hmsemi
 hm90n04d.pdf pdf_icon

HM90N06D

HM90N04D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM90N04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =90A RDS(ON)

Другие IGBT... HM8N20, HM8N20A, HM8N20I, HM8N20K, HM8N20KA, HM8N25K, HM8P02MR, HM90N04D, IRF840, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, HM9926B, HM9N90F, HMS100N85D