HMS120N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS120N03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00235 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS120N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS120N03D даташит

 ..1. Size:573K  cn hmsemi
 hms120n03d.pdf pdf_icon

HMS120N03D

HMS120N03D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS120N03D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

Другие IGBT... HMS11N65I, HMS11N65K, HMS11N70, HMS11N70B, HMS11N70D, HMS11N70F, HMS11N70I, HMS11N70K, STP75NF75, HMS150N04D, HMS150N06D, HMS15N60, HMS15N60A, HMS15N60D, HMS15N60F, HMS15N65, HMS15N65A