Справочник MOSFET. HMS120N03D

 

HMS120N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS120N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00235 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HMS120N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS120N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  cn hmsemi
 hms120n03d.pdf pdf_icon

HMS120N03D

HMS120N03DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS120N03D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

Другие MOSFET... HMS11N65I , HMS11N65K , HMS11N70 , HMS11N70B , HMS11N70D , HMS11N70F , HMS11N70I , HMS11N70K , 12N60 , HMS150N04D , HMS150N06D , HMS15N60 , HMS15N60A , HMS15N60D , HMS15N60F , HMS15N65 , HMS15N65A .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.