Справочник MOSFET. HMS170N03D

 

HMS170N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS170N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HMS170N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS170N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  cn hmsemi
 hms170n03d.pdf pdf_icon

HMS170N03D

HMS170N03DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS170N03D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

 9.1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

HMS170N03D

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power app

Другие MOSFET... HMS15N65I , HMS15N65K , HMS15N70 , HMS15N70B , HMS15N70D , HMS15N70F , HMS15N70I , HMS15N70K , AO4407 , HMS17N65 , HMS17N65D , HMS17N65F , HMS18N10D , HMS18N10Q , HMS18N80 , HMS18N80F , HMS200N04D .

History: KHB2D0N60P

 

 
Back to Top

 


 
.