HMS17N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS17N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS17N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS17N65F даташит

 ..1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

HMS17N65F

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

 9.1. Size:620K  cn hmsemi
 hms170n03d.pdf pdf_icon

HMS17N65F

HMS170N03D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS170N03D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

Другие IGBT... HMS15N70B, HMS15N70D, HMS15N70F, HMS15N70I, HMS15N70K, HMS170N03D, HMS17N65, HMS17N65D, AON7506, HMS18N10D, HMS18N10Q, HMS18N80, HMS18N80F, HMS200N04D, HMS20N15K, HMS21N60, HMS21N60A