HMS21N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS21N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS21N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS21N60F даташит

 ..1. Size:1054K  cn hmsemi
 hms21n60 hms21n60f.pdf pdf_icon

HMS21N60F

HMS21N60,HMS21N60F N-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction 650 V VDS@Tjmax technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applica

 6.1. Size:978K  cn hmsemi
 hms21n60a.pdf pdf_icon

HMS21N60F

HMS21N60A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 650 V VDS@Tjmax technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. F

 7.1. Size:779K  cn hmsemi
 hms21n65a.pdf pdf_icon

HMS21N60F

HMS21N65A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features

 7.2. Size:817K  cn hmsemi
 hms21n65 hms21n65f.pdf pdf_icon

HMS21N60F

HMS21N65,HMS21N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 180 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 21 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HMS18N10D, HMS18N10Q, HMS18N80, HMS18N80F, HMS200N04D, HMS20N15K, HMS21N60, HMS21N60A, 2SK3568, HMS21N65, HMS21N65A, HMS21N65F, HMS21N70, HMS21N70A, HMS21N70F, HMS25N65, HMS25N65D