HMS25N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

HMS25N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HMS25N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HMS25N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS25N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  cn hmsemi
 hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf pdf_icon

HMS25N65

HMS25N65/HMS25N65D/HMS25N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 115 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

Другие MOSFET... HMS21N60A , HMS21N60F , HMS21N65 , HMS21N65A , HMS21N65F , HMS21N70 , HMS21N70A , HMS21N70F , IRF530 , HMS25N65D , HMS25N65F , HMS28N65 , HMS28N65D , HMS28N65F , HMS28N65T , HMS29N65 , HMS29N65D .

History: CST30N10P | IPB049N08N5 | RD3P200SN | RD3L080SN | RD3G600GN | HFP10N60U | TSM2323CX

 

 
Back to Top

 


 
.