HMS25N65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS25N65D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS25N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS25N65D даташит

 ..1. Size:1029K  cn hmsemi
 hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf pdf_icon

HMS25N65D

HMS25N65/HMS25N65D/HMS25N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 115 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

Другие IGBT... HMS21N60F, HMS21N65, HMS21N65A, HMS21N65F, HMS21N70, HMS21N70A, HMS21N70F, HMS25N65, IRF520, HMS25N65F, HMS28N65, HMS28N65D, HMS28N65F, HMS28N65T, HMS29N65, HMS29N65D, HMS29N65F