Справочник MOSFET. HMS25N65D

 

HMS25N65D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HMS25N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HMS25N65D

 

 

HMS25N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  cn hmsemi
 hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf

HMS25N65D HMS25N65D

HMS25N65/HMS25N65D/HMS25N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 115 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , SKD502T , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top