HMS28N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS28N65T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS28N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS28N65T даташит

 ..1. Size:676K  cn hmsemi
 hms28n65t.pdf pdf_icon

HMS28N65T

HMS28N65T N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 110 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 28 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power appli

 6.1. Size:792K  cn hmsemi
 hms28n65 hms28n65d hms28n65f.pdf pdf_icon

HMS28N65T

HMS28N65/HMS28N65D/HMS28N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 110 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 28 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

Другие IGBT... HMS21N70A, HMS21N70F, HMS25N65, HMS25N65D, HMS25N65F, HMS28N65, HMS28N65D, HMS28N65F, 8N60, HMS29N65, HMS29N65D, HMS29N65F, HMS3205, HMS3205D, HMS35DN10DA, HMS35N10K, HMS38N60T