Справочник MOSFET. HMS29N65

 

HMS29N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS29N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS29N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  cn hmsemi
 hms29n65 hms29n65d hms29n65f.pdf pdf_icon

HMS29N65

HMS29N65/HMS29N65D/HMS29N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 96 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFU2905Z | B1M160120HC | STP5NB40 | SVF12N60K | ZXMP6A16K | DN3545 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.