HMS47N65A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS47N65A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS47N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS47N65A даташит

 ..1. Size:974K  cn hmsemi
 hms47n65a.pdf pdf_icon

HMS47N65A

HMS47N65A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 80 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Features

 7.1. Size:1052K  cn hmsemi
 hms47n60a.pdf pdf_icon

HMS47N65A

HMS47N60A N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction 600 V VDS@Tjmax technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 70 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications. Fea

Другие IGBT... HMS4296, HMS4296B, HMS4438, HMS4444A, HMS4454, HMS45N15D, HMS45N15K, HMS47N60A, IRFZ44N, HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, HMS4N70K, HMS50N12DA, HMS50N15LD, HMS5N90I