Справочник MOSFET. HMS50N15LD

 

HMS50N15LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS50N15LD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HMS50N15LD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS50N15LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  cn hmsemi
 hms50n15ld.pdf pdf_icon

HMS50N15LD

HMS50N15LD N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS50N15LD uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous recti

 7.1. Size:417K  cn hmsemi
 hms50n12da.pdf pdf_icon

HMS50N15LD

N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =120V,ID =50A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=10m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS(ON)=12m (typical) @ VG

Другие MOSFET... HMS47N60A , HMS47N65A , HMS4N70 , HMS4N70D , HMS4N70F , HMS4N70I , HMS4N70K , HMS50N12DA , 50N06 , HMS5N90I , HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , HMS75N65T , HMS7N65I .

History: 2SK807 | BRCS3134ZK | IRF2804S-7PPBF | IPB60R360CFD7 | IPB60R125CP | PMN25ENEA | 2SK1165

 

 
Back to Top

 


 
.