Справочник MOSFET. HMS7N70I

 

HMS7N70I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS7N70I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.76 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HMS7N70I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS7N70I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  cn hmsemi
 hms7n70i hms7n70k.pdf pdf_icon

HMS7N70I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 700 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 680 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

 9.1. Size:485K  cn hmsemi
 hms7n65i hms7n65k.pdf pdf_icon

HMS7N70I

N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 600 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 7 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial powe

Другие MOSFET... HMS5N90K , HMS60N04EQ , HMS60N06D , HMS60N10D , HMS65N03Q , HMS75N65T , HMS7N65I , HMS7N65K , AON6414A , HMS7N70K , HMS80N06D , HMS80N10 , HMS80N10AL , HMS80N10D , HMS80N10KA , HMS80N85 , HMS80N85D .

History: IRF5NJ6215

 

 
Back to Top

 


 
.