HMS85N03ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS85N03ED  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 807 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS85N03ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS85N03ED даташит

 ..1. Size:449K  cn hmsemi
 hms85n03ed.pdf pdf_icon

HMS85N03ED

HMS85N03ED N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS85N03ED uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

 8.1. Size:508K  cn hmsemi
 hms85n95 hms85n95d.pdf pdf_icon

HMS85N03ED

HMS85N95, HMS85N95D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high frequency VDS =85V,ID =95A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=5.4m , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremel

Другие IGBT... HMS7N70K, HMS80N06D, HMS80N10, HMS80N10AL, HMS80N10D, HMS80N10KA, HMS80N85, HMS80N85D, IRFP250N, HMS85N95, HMS85N95D, HMS8N50I, HMS8N50K, HMS8N60, HMS8N60D, HMS8N60F, HMS8N60I