HMS90N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS90N04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HMS90N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS90N04D даташит

 ..1. Size:403K  cn hmsemi
 hms90n04d.pdf pdf_icon

HMS90N04D

HMS90N04D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS90N04D uses Super Trench technology that is VDS =40V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.2m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.3m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extr

Другие IGBT... HMS8N65F, HMS8N65I, HMS8N65K, HMS8N70, HMS8N70D, HMS8N70F, HMS8N70I, HMS8N70K, 5N65, AO3413L, CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A