HMS90N04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HMS90N04D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HMS90N04D Datasheet (PDF)
hms90n04d.pdf

HMS90N04DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS90N04D uses Super Trench technology that is VDS =40V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.2m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.3m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFU12N25D | PH5030AL | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | WMO80P04TS
History: IRFU12N25D | PH5030AL | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | WMO80P04TS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt