Справочник MOSFET. HMS90N04D

 

HMS90N04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS90N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HMS90N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS90N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  cn hmsemi
 hms90n04d.pdf pdf_icon

HMS90N04D

HMS90N04DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS90N04D uses Super Trench technology that is VDS =40V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.2m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.3m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extr

Другие MOSFET... HMS8N65F , HMS8N65I , HMS8N65K , HMS8N70 , HMS8N70D , HMS8N70F , HMS8N70I , HMS8N70K , 4435 , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , YSF040N010T1A .

History: WMB80N06TS | SUN0465F | IRF7425PBF-1 | RU80N15R | MTG9N50E | WFP85N06 | STP80N20M5

 

 
Back to Top

 


 
.