Справочник MOSFET. HMS90N04D

 

HMS90N04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS90N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS90N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  cn hmsemi
hms90n04d.pdfpdf_icon

HMS90N04D

HMS90N04DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS90N04D uses Super Trench technology that is VDS =40V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.2m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.3m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFU12N25D | PH5030AL | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | WMO80P04TS

 

 
Back to Top

 


 
.