YSP040N010T1A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: YSP040N010T1A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для YSP040N010T1A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YSP040N010T1A даташит

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf pdf_icon

YSP040N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on) I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Другие IGBT... HMS8N70I, HMS8N70K, HMS90N04D, AO3413L, CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, CS150N03A8, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, DTM4415, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX