GWM13S65YRD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GWM13S65YRD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для GWM13S65YRD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM13S65YRD даташит

 5.1. Size:522K  1
 gwm13s65y.pdf pdf_icon

GWM13S65YRD

GWM13S65Y POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand SJ MOS high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This Higher Current Rating new high energy device also offers a drain-to-source diode Lower Rds(on) with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed Lower Capacitances switchin

Другие IGBT... KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, DTM4415, GWM13S65YRE, BS170, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH, HCCW120R080H1, HCCZ120R080H1