SVG104R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG104R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVG104R5NT
SVG104R5NT Datasheet (PDF)
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3
svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3
Другие MOSFET... YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , 5N65 , SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 .
History: SHD239602
History: SHD239602



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106