SVG104R5NS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG104R5NS
Маркировка: 104R5NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 864 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVG104R5NS
SVG104R5NS Datasheet (PDF)
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JNFH20N60E | JNFH20N60C | JFDX5N50D | JFUX5N50D | JFQM3N150C | JFQM3N120E | JFFM9N90C | JFPC9N90C | JFFM9N50C | JFPC9N50C | JFFM8N80C | JFPC8N80C | JFPC8N65D | JFPC8N65C | JFFM8N60C | JFPC8N60C