SVG104R5NS - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SVG104R5NS. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG104R5NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG104R5NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG104R5NS даташит

 ..1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG104R5NS

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

 ..2. Size:413K  silan
 svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf pdf_icon

SVG104R5NS

 7.1. Size:385K  silan
 svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf pdf_icon

SVG104R5NS

SVG104R0NT(S) 120A 100V N 2 SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

 7.2. Size:422K  silan
 svg104r2nt.pdf pdf_icon

SVG104R5NS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , 10N65 , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 .

 

 
Back to Top

 


 
.