Справочник MOSFET. VS1401ATH

 

VS1401ATH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS1401ATH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VS1401ATH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS1401ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
 vs1401ath.pdf pdf_icon

VS1401ATH

VS1401ATH100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 100 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 VI D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise spe

Другие MOSFET... DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT , SVG104R5NS , 13N50 , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS .

 

 
Back to Top

 


 
.