VS1401ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS1401ATH
Маркировка: 1401ATH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 232 nC
Время нарастания (tr): 67 ns
Выходная емкость (Cd): 665 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VS1401ATH Datasheet (PDF)
vs1401ath.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS1401ATH100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 100 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 VI D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise spe
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![VS1401ATH](https://alltransistors.com/images/us.png)
![VS1401ATH](https://alltransistors.com/images/es.png)
![VS1401ATH](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU