VS1401ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: VS1401ATH

Маркировка: 1401ATH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 232 nC

Время нарастания (tr): 67 ns

Выходная емкость (Cd): 665 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VS1401ATH

 

BUY TRANSISTORS

 

 

VS1401ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
 vs1401ath.pdf

VS1401ATH100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 100 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 VI D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise spe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF1405 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .