VS1401ATH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VS1401ATH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VS1401ATH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS1401ATH даташит

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
 vs1401ath.pdf pdf_icon

VS1401ATH

VS1401ATH 100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V I D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche test TO-220AB Part ID Package Type Marking Packing VS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/Tube Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise spe

Другие IGBT... DTM4415, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, TK10A60D, HCCW120R080H1, HCCZ120R080H1, VS3620DE-G, VS3620DP-G, VS3622DP, VS3622DP2, VS3622DP3, VS3622DS