Справочник MOSFET. VS1401ATH

 

VS1401ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS1401ATH
   Маркировка: 1401ATH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 232 nC
   Время нарастания (tr): 67 ns
   Выходная емкость (Cd): 665 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VS1401ATH

 

 

VS1401ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
 vs1401ath.pdf

VS1401ATH VS1401ATH

VS1401ATH100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 100 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 VI D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise spe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top