Справочник MOSFET. VS1401ATH

 

VS1401ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS1401ATH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 67 ns
   Выходная емкость (Cd): 665 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VS1401ATH

 

 

VS1401ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  cn vgsemi
vs1401ath.pdf

VS1401ATH
VS1401ATH

VS1401ATH100V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 100 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.5 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 VI D(Package Limited) 130 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS1401ATH TO-220AB 1401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise spe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top