Справочник MOSFET. VS3622DP3

 

VS3622DP3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3622DP3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VS3622DP3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622DP3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  cn vgsemi
 vs3622dp3.pdf pdf_icon

VS3622DP3

VS3622DP330V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking P

 6.1. Size:1142K  cn vgsemi
 vs3622dp2.pdf pdf_icon

VS3622DP3

VS3622DP230V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement modeI D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 6.2. Size:1113K  cn vgsemi
 vs3622dp.pdf pdf_icon

VS3622DP3

VS3622DP30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Markin

 7.1. Size:735K  cn vanguard
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DP3

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG104R5NS , VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , IRFB31N20D , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.