VS3640DP3 - описание и поиск аналогов

 

VS3640DP3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3640DP3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3640DP3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3640DP3 даташит

 ..1. Size:1110K  cn vgsemi
vs3640dp3.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DP3 30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marki

 6.1. Size:1182K  cn vgsemi
vs3640dp.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DP 30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Markin

 7.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 7.2. Size:1011K  cn vgsemi
vs3640db.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m High Current Capability I D 25 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate Charge DFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3640DB DFN3x3 3640DB 5000pcs/Reel

Другие MOSFET... VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , AO3400A , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , VSA007N02KD , SD2933W , FDD6030BL .

History: LBSS138LT1G | WMK10N80M3 | 3N80L-TA3-T | LBSS139LT1G | VS3622DP | SM2613PSC | AOB600A70FL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.