Справочник MOSFET. VS3640DP3

 

VS3640DP3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3640DP3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VS3640DP3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3640DP3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1110K  cn vgsemi
vs3640dp3.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DP330V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement modeI D 30 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marki

 6.1. Size:1182K  cn vgsemi
vs3640dp.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DP30V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement modeI D 30 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Markin

 7.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 7.2. Size:1011K  cn vgsemi
vs3640db.pdfpdf_icon

VS3640DP3

VS3640DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m High Current CapabilityI D 25 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate ChargeDFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3640DB DFN3x3 3640DB 5000pcs/Reel

Другие MOSFET... VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , RU6888R , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE , VSA007N02KD , SD2933W , FDD6030BL .

History: TPM2019-3 | RJL6012DPE | CEU540N | RJK1052DPB | AOW410 | IXTH460P2 | SPB10N10LG

 

 
Back to Top

 


 
.