ISW65R041CFD - аналоги и даташиты транзистора

 

ISW65R041CFD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ISW65R041CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для ISW65R041CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISW65R041CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  inchange semiconductor
 isw65r041cfd.pdf pdf_icon

ISW65R041CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor ISW65R041CFDFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R 44m(Max)DS(on):100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , FDH34N40 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , IRF3205 , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH , MDP18N50TH , MDP5N50TH .

History: 3SK295 | TPA60R160M | BSC025N03LS | RU5H5R | IPP60R070CFD7 | JBE112T | WMJ30N65EM

 

 
Back to Top

 


 
.