ISW65R041CFD - описание и поиск аналогов

 

ISW65R041CFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISW65R041CFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для ISW65R041CFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISW65R041CFD даташит

 ..1. Size:328K  inchange semiconductor
 isw65r041cfd.pdf pdf_icon

ISW65R041CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor ISW65R041CFD FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 44m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Другие MOSFET... FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , FDH34N40 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , IRF3205 , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH , MDP18N50TH , MDP5N50TH .

History: LXP152ALT1G | 30P06 | 2SK3857CT | NTD4904N | IRF3205LPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.