MME80R290PRH - описание и поиск аналогов

 

MME80R290PRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MME80R290PRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MME80R290PRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MME80R290PRH даташит

 ..1. Size:898K  magnachip
 mme80r290prh.pdf pdf_icon

MME80R290PRH

MME80R290P Datasheet MME80R290P 800V 0.29 N-channel MOSFET Description MME80R290P is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mme80r290prh.pdf pdf_icon

MME80R290PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor MME80R290PRH FEATURES Drain Current I = 17A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.29 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

Другие MOSFET... MMD60R580PBRH , MMD65R380QRH , MMD80R1K2PRH , MMD80R1K2QZRH , MMD80R900PCRH , MMD80R900QZRH , MME60R290QRH , MME65R280QRH , IRFB4115 , MMF60R190QTH , MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.