Справочник MOSFET. MME80R290PRH

 

MME80R290PRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MME80R290PRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MME80R290PRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  magnachip
 mme80r290prh.pdf pdf_icon

MME80R290PRH

MME80R290P Datasheet MME80R290P 800V 0.29 N-channel MOSFET Description MME80R290P is power MOSFET using Magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mme80r290prh.pdf pdf_icon

MME80R290PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor MME80R290PRHFEATURESDrain Current : I = 17A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.29(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AFN12N60T220T | NVMFS5C628N | BRCS035N08SHBD | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.