MMFT60R195PCTH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMFT60R195PCTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 999 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MMFT60R195PCTH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MMFT60R195PCTH даташит
mmft60r195pcth.pdf
MMFT60R195PC Datasheet MMFT60R195PC 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195PC is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as we
mmft60r195pcth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PCTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and
mmft60r195pth.pdf
MMFT60R195P Datasheet MMFT60R195P 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well
mmft60r195pth.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and
Другие MOSFET... MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , STP75NF75 , S40N14S , HY3408 , STP1806 , YMP230N55 , JFAM18N50C , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor



