MMFT60R195PCTH - описание и поиск аналогов

 

MMFT60R195PCTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMFT60R195PCTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 999 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для MMFT60R195PCTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT60R195PCTH даташит

 ..1. Size:1295K  magnachip
mmft60r195pcth.pdfpdf_icon

MMFT60R195PCTH

MMFT60R195PC Datasheet MMFT60R195PC 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195PC is power MOSFET using Magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as we

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
mmft60r195pcth.pdfpdf_icon

MMFT60R195PCTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PCTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

 3.1. Size:1413K  magnachip
mmft60r195pth.pdfpdf_icon

MMFT60R195PCTH

MMFT60R195P Datasheet MMFT60R195P 600V 0.195 N-channel MOSFET Description MMFT60R195P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well

 3.2. Size:279K  inchange semiconductor
mmft60r195pth.pdfpdf_icon

MMFT60R195PCTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MMFT60R195PTH FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.195 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and

Другие MOSFET... MMF60R280QBTH , MMF60R580QTH , MMF65R600QTH , MMF80R450PBTH , MMF80R450QZTH , MMF80R900PCTH , MMF80R900QZTH , MMF80R900PBTH , STP75NF75 , S40N14S , HY3408 , STP1806 , YMP230N55 , JFAM18N50C , JFAM20N50C , JFAM20N50D , JFAM20N50E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.