JFAM30N50E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFAM30N50E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFAM30N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFAM30N50E даташит

 ..1. Size:724K  jiaensemi
 jfam30n50e.pdf pdf_icon

JFAM30N50E

JFAM30N50E 500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 7.1. Size:1315K  jiaensemi
 jfam30n60e.pdf pdf_icon

JFAM30N50E

JFAM30N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие IGBT... JFAM20N50E, JFAM20N60C, JFAM20N60D, JFAM20N60E, JFAM20N65C, JFAM20N65E, JFAM24N50C, JFAM25N50E, IRF1010E, JFAM30N60E, JFAM50N50C, JFAM7N90C, JFFC10N65D, JFFC13N65D, JFFC20N65C, JFFC7N65E, JFFC8N65C