Справочник MOSFET. JFAM30N50E

 

JFAM30N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFAM30N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для JFAM30N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFAM30N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  jiaensemi
 jfam30n50e.pdf pdf_icon

JFAM30N50E

JFAM30N50E 500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

 7.1. Size:1315K  jiaensemi
 jfam30n60e.pdf pdf_icon

JFAM30N50E

JFAM30N60E 600V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... JFAM20N50E , JFAM20N60C , JFAM20N60D , JFAM20N60E , JFAM20N65C , JFAM20N65E , JFAM24N50C , JFAM25N50E , IRF530 , JFAM30N60E , JFAM50N50C , JFAM7N90C , JFFC10N65D , JFFC13N65D , JFFC20N65C , JFFC7N65E , JFFC8N65C .

History: RMW200N03 | CEB7030L | STP33N60DM2 | MSU4N60S | STT3458N | WMK80R160S | ALD1102PAL

 

 
Back to Top

 


 
.