Справочник MOSFET. JFFC8N65C

 

JFFC8N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFC8N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFC8N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFC8N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1066K  jiaensemi
 jffc8n65c.pdf pdf_icon

JFFC8N65C

JFFC8N65C 650V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s

Другие MOSFET... JFAM30N50E , JFAM30N60E , JFAM50N50C , JFAM7N90C , JFFC10N65D , JFFC13N65D , JFFC20N65C , JFFC7N65E , IRF1407 , JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E .

History: WMM18N50C4 | IRF8788PBF | SL120N03R

 

 
Back to Top

 


 
.