Справочник MOSFET. JFHM30N50P

 

JFHM30N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFHM30N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JFHM30N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFHM30N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1020K  jiaensemi
 jfhm30n50p.pdf pdf_icon

JFHM30N50P

JFHM30N50P 500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , 13N50 , JFHM50N50C , JFHM9N150E , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI .

History: MTB30P06VT4 | WMT04P06TS | WSD2054DN22 | HSL0004 | CRTS030N04L | SWD10N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.