JFHM30N50P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JFHM30N50P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для JFHM30N50P
JFHM30N50P Datasheet (PDF)
jfhm30n50p.pdf

JFHM30N50P 500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
Другие MOSFET... JFFM13N50E , JFFM13N65D , JFFM20N60C , JFFM3N120E , JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , 13N50 , JFHM50N50C , JFHM9N150E , JFPC10N60C , JFFM10N60C , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI .
History: SVF13N50S
History: SVF13N50S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor