JFFM10N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFM10N60C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFM10N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM10N60C даташит

 ..1. Size:843K  jiaensemi
 jfpc10n60c jffm10n60c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC10N60C JFFM10N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 10A, 600V, RDS(on)typ. = 0.68 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

 7.1. Size:518K  jiaensemi
 jfpc10n80c jffm10n80c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC10N80C JFFM10N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER

 9.1. Size:889K  jiaensemi
 jfpc18n50c jffm18n50c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFFM18N50C JFPC18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 0.24 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching perf

 9.2. Size:908K  jiaensemi
 jfpc16n50c jffm16n50c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC16N50C JFFM16N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 0.33 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JFFM3N150C, JFFM7N90C, JFHM20N60C, JFHM20N60E, JFHM30N50P, JFHM50N50C, JFHM9N150E, JFPC10N60C, 18N50, JFPC10N60CI, JFPC10N65C, JFFC10N65C, JFPC10N65CI, JFPC10N65D, JFPC10N80C, JFFM10N80C, JFPC11N50C