JFFM10N60C - аналоги и даташиты транзистора

 

JFFM10N60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JFFM10N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFM10N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM10N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  jiaensemi
 jfpc10n60c jffm10n60c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC10N60C JFFM10N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 10A, 600V, RDS(on)typ. = 0.68@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

 7.1. Size:518K  jiaensemi
 jfpc10n80c jffm10n80c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC10N80C JFFM10N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER

 9.1. Size:889K  jiaensemi
 jfpc18n50c jffm18n50c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFFM18N50C JFPC18N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 500V, RDS(on)typ. = 0.24@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching perf

 9.2. Size:908K  jiaensemi
 jfpc16n50c jffm16n50c.pdf pdf_icon

JFFM10N60C

JFPC16N50C JFFM16N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 0.33@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JFFM3N150C , JFFM7N90C , JFHM20N60C , JFHM20N60E , JFHM30N50P , JFHM50N50C , JFHM9N150E , JFPC10N60C , 18N50 , JFPC10N60CI , JFPC10N65C , JFFC10N65C , JFPC10N65CI , JFPC10N65D , JFPC10N80C , JFFM10N80C , JFPC11N50C .

History: TK20A60W5 | MP4N150 | MP15N60EIF | FMP13N60E

 

 
Back to Top

 


 
.