JFPC18N65CI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFPC18N65CI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFPC18N65CI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFPC18N65CI даташит

 ..1. Size:488K  jiaensemi
 jfpc18n65ci.pdf pdf_icon

JFPC18N65CI

JFPC18N65CI 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A , 650V, RDS(on)typ. = 0.60 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and wit

 4.1. Size:861K  jiaensemi
 jfpc18n65c jffc18n65c.pdf pdf_icon

JFPC18N65CI

JFFC18N65C JFPC18N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 650V, RDS(on)typ. = 0.45 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching perf

 6.1. Size:503K  jiaensemi
 jfpc18n60ci.pdf pdf_icon

JFPC18N65CI

JFPC18N60CI 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 600V, RDS(on)typ. = 0.52 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, and withs

 6.2. Size:862K  jiaensemi
 jfpc18n60c jffm18n60c.pdf pdf_icon

JFPC18N65CI

JFFM18N60C JFPC18N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 18A, 600V, RDS(on)typ. = 0.42 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge(40nC) technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching perf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JFFM16N50C, JFPC18N50C, JFFM18N50C, JFPC18N60C, JFFM18N60C, JFPC18N60CI, JFPC18N65C, JFFC18N65C, IRFP064N, JFPC20N50C, JFFM20N50C, JFPC20N60C, JFPC20N65C, JFPC24N50C, JFFM24N50C, JFPC2N80C, JFFM12N80C