2SK2684. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2684

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: LDPAK

Аналог (замена) для 2SK2684

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2684 даташит

 ..1. Size:90K  renesas
 2sk2684.pdf pdf_icon

2SK2684

2SK2684(L), 2SK2684(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1022-0200 (Previous ADE-208-542) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package code

 0.1. Size:104K  renesas
 rej03g1022 2sk2684lsds.pdf pdf_icon

2SK2684

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:30K  sanyo
 2sk2682ls.pdf pdf_icon

2SK2684

Ordering number ENN6783A 2SK2682LS N-Channel Silicon MOSFET 2SK2682LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed diode. 2078C Micaless package facilitating mounting. [2SK2682LS] 10.0 4.5 3.2 2.8 0.9 1.2 1.2 0.75 0.7 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source Specifications 2.55 2.55 SANYO TO-220FI(LS)

 8.2. Size:27K  sanyo
 2sk2682.pdf pdf_icon

2SK2684

Ordering number ENN6783 2SK2682 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2682 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed diode. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SK2682] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source Specifications 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Absolute

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2523-01, 2SK2524-01MR, 2SK2525-01, 2SK2529, 2SK2541, 2SK2553, 2SK2554, 2SK2586, IRFB4110, 2SK2701, 2SK2702, 2SK2703, 2SK2704, 2SK2705, 2SK2706, 2SK2707, 2SK2708