JFFM5N90C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFM5N90C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFM5N90C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM5N90C даташит

 ..1. Size:560K  jiaensemi
 jfpc5n90c jffm5n90c.pdf pdf_icon

JFFM5N90C

JFPC5N90C JFFM5N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUP

 8.1. Size:555K  jiaensemi
 jfpc5n80c jffm5n80c.pdf pdf_icon

JFFM5N90C

JFPC5N80C JFFM5N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUP

 8.2. Size:829K  jiaensemi
 jfpc5n60c jffm5n60c.pdf pdf_icon

JFFM5N90C

JFPC5N60C JFFM5N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 4.5A , 600V, RDS(on)typ. = 2.0 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

Другие IGBT... JFFM12N80C, JFPC5N60C, JFFM5N60C, JFPC5N65C, JFFC5N65C, JFPC5N80C, JFFM5N80C, JFPC5N90C, IRFB4110, JFPC7N60C, JFFM7N60C, JFPC7N65C, JFFC7N65C, JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C