Справочник MOSFET. JFFM8N60C

 

JFFM8N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JFFM8N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для JFFM8N60C

 

 

JFFM8N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  jiaensemi
jfpc8n60c jffm8n60c.pdf

JFFM8N60C
JFFM8N60C

JFPC8N60C JFFM8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 8A, 600V, RDS(on)typ. = 0.90@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

 8.1. Size:547K  jiaensemi
jfpc8n80c jffm8n80c.pdf

JFFM8N60C
JFFM8N60C

JFPC8N80C JFFM8N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top