JFFM8N60C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JFFM8N60C. Основные параметры


   Наименование производителя: JFFM8N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFM8N60C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM8N60C даташит

 ..1. Size:843K  jiaensemi
 jfpc8n60c jffm8n60c.pdf pdf_icon

JFFM8N60C

JFPC8N60C JFFM8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 8A, 600V, RDS(on)typ. = 0.90 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

 8.1. Size:547K  jiaensemi
 jfpc8n80c jffm8n80c.pdf pdf_icon

JFFM8N60C

JFPC8N80C JFFM8N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Другие MOSFET... JFPC5N90C , JFFM5N90C , JFPC7N60C , JFFM7N60C , JFPC7N65C , JFFC7N65C , JFPC7N90C , JFPC8N60C , AON6414A , JFPC8N65C , JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.