JFFM9N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFM9N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFM9N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM9N50C даташит

 ..1. Size:845K  jiaensemi
 jfpc9n50c jffm9n50c.pdf pdf_icon

JFFM9N50C

JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

 8.1. Size:563K  jiaensemi
 jfpc9n90c jffm9n90c.pdf pdf_icon

JFFM9N50C

JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Другие IGBT... JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C, JFPC8N65D, JFPC8N80C, JFFM8N80C, JFPC9N50C, IRF630, JFPC9N90C, JFFM9N90C, JFQM3N120E, JFQM3N150C, JFUX5N50D, JFDX5N50D, JNFH20N60C, JNFH20N60E