Справочник MOSFET. JFFM9N50C

 

JFFM9N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFFM9N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JFFM9N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM9N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:845K  jiaensemi
 jfpc9n50c jffm9n50c.pdf pdf_icon

JFFM9N50C

JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

 8.1. Size:563K  jiaensemi
 jfpc9n90c jffm9n90c.pdf pdf_icon

JFFM9N50C

JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Другие MOSFET... JFPC7N90C , JFPC8N60C , JFFM8N60C , JFPC8N65C , JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , AON7408 , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E .

History: H5N2510DL | NCE65TF099T | BSC190N15NS3G | SI3457BDV | IPD12CNE8NG | NCEP40T11K | APT50M65JFLL

 

 
Back to Top

 


 
.