SRC60R022FBST4G - описание и поиск аналогов

 

SRC60R022FBST4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRC60R022FBST4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 657.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 533 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для SRC60R022FBST4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRC60R022FBST4G даташит

 0.1. Size:1172K  sanrise-tech
 src60r022fbst4g.pdf pdf_icon

SRC60R022FBST4G

Datasheet 22m , 600V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC60R022FBS General Description Symbol The Sanrise SRC60R022FBS is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power densit

 2.1. Size:1263K  sanrise-tech
 src60r022fbs.pdf pdf_icon

SRC60R022FBST4G

Datasheet 22m , 600V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC60R022FBS General Description Symbol The Sanrise SRC60R022FBS is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power densit

 6.1. Size:1904K  sanrise-tech
 src60r029fbs.pdf pdf_icon

SRC60R022FBST4G

Datasheet 29m , 600V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC60R029FBS General Description Symbol The Sanrise SRC60R029FBS is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power densit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB , SRC60R017FBT4G , SRC60R022FBS , IRF1010E , SRC60R029FBS , SRC60R030BS , SRC60R030FBS , SRC60R037B , SRC60R045FB , SRC60R064S , SRC60R068BS , SRC60R068BSTL .

History: SLB65R380E7C | AOK22N50L | SLD2N65UZ | NTD4909N | AP2310GG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.