SRH03P098LD33TR-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SRH03P098LD33TR-G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SRH03P098LD33TR-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRH03P098LD33TR-G даташит

 4.1. Size:904K  sanrise-tech
 srh03p098l.pdf pdf_icon

SRH03P098LD33TR-G

Datasheet 9.8m , 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8 enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4 especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V

 8.1. Size:1057K  sanrise-tech
 srh03p142l.pdf pdf_icon

SRH03P098LD33TR-G

Datasheet 14.2m , 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8 The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4 technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3 The SRH03P142L break down vol

Другие IGBT... SRC65R800E, SRC65R800M2, SRC70R048B, SRC70R230, SRC70R380E, SRC70R670E, SRC70R900, SRH03P098LMTR-G, AON6414A, SRH03P142LMTR-G, SRH03P142LD33TR-G, SRH03P142LDTR-G, SRH04N260L, SRH04P500L, SRT03N010LD56, SRT03N010LD56TR-GS, SRT03N011L