SRH03P142LD33TR-G - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SRH03P142LD33TR-G. Основные параметры


   Наименование производителя: SRH03P142LD33TR-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для SRH03P142LD33TR-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRH03P142LD33TR-G даташит

 4.1. Size:1057K  sanrise-tech
 srh03p142l.pdf pdf_icon

SRH03P142LD33TR-G

Datasheet 14.2m , 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8 The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4 technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3 The SRH03P142L break down vol

 8.1. Size:904K  sanrise-tech
 srh03p098l.pdf pdf_icon

SRH03P142LD33TR-G

Datasheet 9.8m , 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8 enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4 especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V

Другие MOSFET... SRC70R048B , SRC70R230 , SRC70R380E , SRC70R670E , SRC70R900 , SRH03P098LMTR-G , SRH03P098LD33TR-G , SRH03P142LMTR-G , 10N60 , SRH03P142LDTR-G , SRH04N260L , SRH04P500L , SRT03N010LD56 , SRT03N010LD56TR-GS , SRT03N011L , SRT03N016L , SRT03N020L .

 

 
Back to Top

 


 
.