Справочник MOSFET. SRH03P142LDTR-G

 

SRH03P142LDTR-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SRH03P142LDTR-G
   Маркировка: SRH03P142LDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0142 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SRH03P142LDTR-G

 

 

SRH03P142LDTR-G Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1057K  sanrise-tech
 srh03p142l.pdf

SRH03P142LDTR-G SRH03P142LDTR-G

Datasheet 14.2m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P142L General Description Symbol Drain 5,6,7,8The Sanrise SRH03P142L P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench Gate 4technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. Source 1,2,3The SRH03P142L break down vol

 8.1. Size:904K  sanrise-tech
 srh03p098l.pdf

SRH03P142LDTR-G SRH03P142LDTR-G

Datasheet 9.8m, 30V, P-Channel Power MOSFET SRH03P098L General Description Symbol The Sanrise SRH03P098L P-Channel logic Drain 5,6,7,8enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is Gate 4especially tailored to minimize on-state resistance. The SRH03P098L break down voltage is -30V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top